近日，中国电科9所成功研发国内首款MEMS磁通门工程化产品，标志着国内高性能弱磁场传感器领域迎来里程碑式进展。

　　MEMS磁通门作为一种高精度弱磁场传感器，能够感应到外界微弱的直流或低频磁场，可应用于弱磁探测、测姿/导航、电流检测等领域。科研团队瞄准微型化集成、薄膜磁心材料、MEMS制备工艺、测试优化等科研难题，依托磁性微纳工艺平台，整合国内行业优势资源，历经数十轮工艺迭代，不断突破工艺极限，攻克了薄膜磁心微米级定位、高可靠性超高厚度铜柱制备的技术难题，使磁通门传感器尺寸缩小50%以上，将器件性能提升至全新高度，推动了高性能磁心的批量制造，解决了传统高精度矢量传感器体积大、功耗高、集成度低等问题，技术达到国际先进水平。

　　未来，面向电子装备集成化、智能化发展趋势，科研团队将深度挖掘并响应磁传感应用各细分领域的痛点需求，着力突破专用接口芯片、智能算法等关键技术，提供定制化磁感知与探测解决方案，推动我国打造健康发展的高端磁传感器核心材料、工艺、器件及应用生态系统。